忆联UM311d SATA SSD：高性能与成本效益的完美结合
忆联发布新款企业级SATA SSD UM311d，提供更优性能和成本效率，支持SATA III接口，容量覆盖480GB至3.84TB，顺序读写速度高达560/535 MB/s，随机读写性能达99K/48K IOPS。
芯片新品
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芯片新品技术
全球首款动态4线程RISC-V CPU内核P100发布：高性能服务器级内核详解
灵睿智芯发布了全球首款动态4线程、服务器级别的高性能RISC-V CPU内核P100，填补了国产超高性能RISC-V内核空白，具备高性能、高并发、高可靠和可扩展性。
飞腾腾云S5000C服务器CPU：高性能、高安全入选央企创新成果
飞腾公司的“飞腾腾云S5000C”服务器CPU入选《中央企业科技创新成果推荐目录(2024年版)》，该CPU具有高性能、高安全、高可靠等特点，适用于多种服务器场景。
天玑8500/9500s发布：4nm/3nm制程带来次旗舰体验
MTK发布了两款新芯片：天玑8500和天玑9500s，分别采用4nm和3nm制程。天玑8500面向轻旗舰市场，天玑9500s则提供次旗舰体验，支持光线追踪技术和强大的AI性能。
恩智浦S32N7处理器：软件定义汽车的5纳米技术革新
恩智浦发布全新S32N7处理器系列，基于5纳米技术，旨在实现汽车核心功能的全面数字化和集中化，降低系统复杂性，并支持AI驱动的创新。
RS1432：16位2通道AD转换芯片详解
润石科技推出16位2通道AD转换芯片RS1432，支持差分输入和最高1MSPS的转换速率，适用于工业现场数据采集和仪器仪表测量设备。
三菱电机全新沟槽栅型SiC-MOSFET：降低50%功耗，助力电动汽车和可再生能源
三菱电机推出四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器和可再生能源系统设计，显著降低功耗并提高性能。
意法半导体TSZ901运放：高精度零漂移，适用于宽温环境
意法半导体推出的TSZ901运算放大器具有高精度、零漂移和10MHz增益带宽积，适用于多种高精度应用。该产品在-40°C至125°C的工作温度范围内表现出色，符合AEC-Q100标准。
Wolfspeed TOLT封装650V MOSFET：AI数据中心高效散热解决方案
Wolfspeed最新推出TOLT封装650V第四代MOSFET，为AI数据中心等高要求应用提供先进的碳化硅解决方案，具备更优异的散热管理和更高的可靠性。
xPU-CPO光电共封芯片：2025年数据中心光互连新技术解析
燧原科技和曦智科技在2025世界人工智能大会上推出国内首款xPU-CPO光电共封芯片，采用CPO技术，实现了40%的通信密度增加，为数据中心光互连树立新标杆。
中微公司发布六大半导体设备：2025年新技术解析
中微公司在CSEAC 2025上发布了六款新的半导体设备，包括等离子体刻蚀、原子层沉积和外延设备，展示了其在高端半导体设备市场的领先地位。
全球首款2nm芯片Exynos 2600：三星最新移动SoC详解
三星宣布Exynos 2600将成为全球首款采用2nm工艺的移动SoC，该芯片已完成开发并准备量产。Exynos 2600采用1+3+6核心设计，并配备新型散热部件。
28纳米SuperFlash车规1级平台：提升汽车控制器性能与可靠性
冠捷半导体（SST）与联华电子（UMC）宣布28纳米SuperFlash®第四代车规1级平台正式投产，提供高性能和可靠性，支持汽车控制器。
班通科技推出国产PCB检测设备：铜厚测试仪和TDR阻抗测试仪详解
班通科技推出一系列国产PCB检测设备，包括铜厚测试仪、TDR阻抗测试仪和离子污染测试仪等，旨在实现对进口设备的有效替代，确保我国电子产业链的自主可控。
赛思电子SLIC芯片：高集成可定制，打破技术瓶颈
赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性，满足通信基建、VOIP网关等应用需求，打破国内技术瓶颈，实现高性能与量产。
HUSB385A：全集成零外围充电控制器详解
深圳慧能泰半导体科技有限公司推出了全集成零外围的2C1A或2A1C充电控制器HUSB385A，支持多种快充协议，适用于高效紧凑设计的充电器。
SGM3802双输出LCD偏置电源芯片：支持I²C编程详解
圣邦微电子推出SGM3802，一款专为TFT LCD偏置设计的高集成度双输出电源芯片，支持I²C接口步进编程，适用于多种应用场景。
NCEP025S90T：新洁能250V超快反向恢复MOSFET详解
新洁能推出250V SGT MOSFET NCEP025S90T，具有超快反向恢复特性，显著降低反向恢复电荷，适用于高性能、高可靠性的硬开关应用场景。
Diodes推出28V USB Type-C PD3.1控制器：支持140W输出
Diodes公司推出两款28V USB Type-C双重功能电源传输控制器AP53781和AP53782，支持最新的PD3.1 EPR标准，最高输出140W，适用于便携式电池供电设备。
杰平方半导体发布1400V SiC MOSFET：助力800V+电动汽车高压平台
杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品，填补了1200V与1700V之间的市场空白，适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。