xPU-CPO光电共封芯片:2025年数据中心光互连新技术解析
燧原科技和曦智科技在2025世界人工智能大会上推出国内首款xPU-CPO光电共封芯片,采用CPO技术,实现了40%的通信密度增加,为数据中心光互连树立新标杆。
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燧原科技和曦智科技在2025世界人工智能大会上推出国内首款xPU-CPO光电共封芯片,采用CPO技术,实现了40%的通信密度增加,为数据中心光互连树立新标杆。
中微公司在CSEAC 2025上发布了六款新的半导体设备,包括等离子体刻蚀、原子层沉积和外延设备,展示了其在高端半导体设备市场的领先地位。
三星宣布Exynos 2600将成为全球首款采用2nm工艺的移动SoC,该芯片已完成开发并准备量产。Exynos 2600采用1+3+6核心设计,并配备新型散热部件。
冠捷半导体(SST)与联华电子(UMC)宣布28纳米SuperFlash®第四代车规1级平台正式投产,提供高性能和可靠性,支持汽车控制器。
班通科技推出一系列国产PCB检测设备,包括铜厚测试仪、TDR阻抗测试仪和离子污染测试仪等,旨在实现对进口设备的有效替代,确保我国电子产业链的自主可控。
赛思电子推出的新一代SLIC芯片具备高集成、可编程和定制化特性,满足通信基建、VOIP网关等应用需求,打破国内技术瓶颈,实现高性能与量产。
文章介绍了分立器件的静态参数测试及其重要性,包括栅极-发射极阈值电压、漏电流、饱和电压等,并分析了这些参数对器件性能的影响。
本文介绍了如何使用Keithley KickStart软件对高亮度LED进行脉冲特性表征,包括脉冲测试的优势、HBLED的电学特性测试方法以及具体的操作步骤。
深圳慧能泰半导体科技有限公司推出了全集成零外围的2C1A或2A1C充电控制器HUSB385A,支持多种快充协议,适用于高效紧凑设计的充电器。
本文介绍了安森美的SiC JFET和Combo JFET产品组合,重点阐述了其在固态断路器和数据中心中的应用优势,包括高能效、高功率密度以及更低的导通电阻。
圣邦微电子推出SGM3802,一款专为TFT LCD偏置设计的高集成度双输出电源芯片,支持I²C接口步进编程,适用于多种应用场景。
新洁能推出250V SGT MOSFET NCEP025S90T,具有超快反向恢复特性,显著降低反向恢复电荷,适用于高性能、高可靠性的硬开关应用场景。
Diodes公司推出两款28V USB Type-C双重功能电源传输控制器AP53781和AP53782,支持最新的PD3.1 EPR标准,最高输出140W,适用于便携式电池供电设备。
本文详细解析了LLC开关电源中MOS管的失效机制,重点讨论了体二极管反向恢复特性对MOS管的影响,并提出了预防措施。
本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义,包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。
杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品,填补了1200V与1700V之间的市场空白,适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。
AMD推出Spartan UltraScale+ FPGA系列的两款新成员SU45P和SU60P,提供高速连接、稳健的安全性和长期可靠性,适用于工业自动化和有线网络系统。
事件数据记录器(EDR)作为工业控制、汽车安全、航空航天等领域的核心设备,承担着实时记录运行参数与异常事件的重任。传统硬件方案如EEPROM写入速度慢、SRAM易失性数据易丢失
近日,广东省高新技术企业协会正式发布《2025年第二批广东省名优高新技术产品名单》,国星半导体自主研发的车规级LED芯片与垂直LED芯片两大系列产品成功入选。该认定严格围绕
在消费电子持续追求轻薄化与长续航的当下,背光系统能效成为关键瓶颈。传统方案在轻载场景效率低下,散热性能不足,严重制约设备续航并带来可靠性风险。数模龙头艾为电子推出新一代升压型W