RISC-V架构深度解析与实战

从指令集基础到内核实现,全面剖析RISC-V的开源魅力与产业生态化进程。

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文章 (10)
杰平方半导体发布1400V SiC MOSFET:助力800V+电动汽车高压平台
杰平方半导体发布1400V SiC MOSFET:助力800V+电动汽车高压平台

杰平方半导体推出两款1400V碳化硅SiC MOSFET新品,填补了1200V与1700V之间的市场空白,适用于电动汽车高压平台及其他高压应用场景。

芯片新品 2026-02-26 37
钠离子电池市场前景:2025年最新技术解析
钠离子电池市场前景:2025年最新技术解析

在全球能源转型背景下,钠离子电池凭借资源丰富、成本低廉等优势成为储能领域的新宠。文章详细分析了正极、负极和电解液三大关键材料的技术突破,展示了钠离子电池的广阔市场前景。

电源新能源 2026-02-26 31
盐湖提锂技术突破:降低30%成本,缓解锂资源短缺
盐湖提锂技术突破:降低30%成本,缓解锂资源短缺

中国在盐湖提锂技术上取得重大突破,有望解决锂资源“卡脖子”问题。新技术提高了锂离子回收率,降低了成本,为新能源汽车和储能行业提供了可靠的锂资源。

电源新能源 2026-02-26 23
反激开关电源RCD钳位电路详解:保护MOSFET的关键技术
反激开关电源RCD钳位电路详解:保护MOSFET的关键技术

本文详细解析了反激开关电源中RCD钳位电路的工作原理,通过吸收漏感能量来保护MOSFET免受电压尖峰的损害。介绍了RCD钳位电路的具体工作过程和关键组件的作用。

电源管理 2026-02-26 25
反激开关电源TL431和光耦反馈电路参数计算详解
反激开关电源TL431和光耦反馈电路参数计算详解

本文详细介绍了反激开关电源中TL431和光耦反馈电路的工作原理及参数计算方法,通过具体的电路图和计算示例,展示了如何稳定输出电压。

电源管理 2026-02-26 31
晶体管转移特性曲线详解:核心参数及应用
晶体管转移特性曲线详解:核心参数及应用

本文详细介绍了晶体管的转移特性曲线及其核心参数的意义,包括阈值电压、亚阈值摆幅、跨导和导通电流。这些参数对芯片性能和功耗管理至关重要。

产业分析 2026-02-26 35
1700V氮化镓在多路输出反激电源的应用:高压下的ZVS优势
1700V氮化镓在多路输出反激电源的应用:高压下的ZVS优势

本文介绍了1700V氮化镓在多路输出反激电源中的应用,通过单级反激拓扑和自适应ZVS控制,在高压、多路输出应用中实现了高效率、低温升和良好的EMI性能。

电源管理 2026-02-26 19
LLC开关电源MOS管失效机制详解:体二极管影响及预防
LLC开关电源MOS管失效机制详解:体二极管影响及预防

本文详细解析了LLC开关电源中MOS管的失效机制,重点讨论了体二极管反向恢复特性对MOS管的影响,并提出了预防措施。

产业分析 2026-02-26 20
东芝PLC解决方案:高性能紧凑型设计详解
东芝PLC解决方案:高性能紧凑型设计详解

本文介绍了东芝提供的可编程逻辑控制器(PLC)解决方案,包括电源、输入/输出和通信模块,旨在帮助工程师设计高性能紧凑型PLC,确保其在复杂环境下的高可靠性和稳定通信。

工业自动化 2026-02-26 30
Qorvo BMS和MCD:提升电动及园艺工具性能的关键技术
Qorvo BMS和MCD:提升电动及园艺工具性能的关键技术

本文介绍了Qorvo的电池管理系统(BMS)和电机控制器(MCD)如何助力电动及园艺工具的开发,实现更智能、更安全、更高效的产品。

半导体产业 2026-02-27 19